Графеновые наноленты являются вполне подходящим материалом для изготовления полевых транзисторов, являющихся стандартными узлами всех микросхем. Ширина нанолент, изготовленных учеными Стэнфорда под руководством Хонгджи Дая (Hongjie Dai) составляет менее десяти нанометров; в режиме транзистора они с успехом могут работать в качестве транзистора даже при комнатной температуре, в то время как предшествующие разработки функционировали только на низких температурах в силу своей большей толщины.
Все цифровые устройства в своем развитии имеют тенденцию к миниатюризации, соответственно, должен сокращаться размер и транзисторов, обязанных полноценно работать при комнатной температуре. Кремний имеет, к сожалению, минимально возможный размер узла, при котором дальнейшая миниатюризация становится невозможной. Посему ученым приходится искать новые материалы. Конечно, серийное производство графеновых нанолент нового типа едва ли сможет начаться в ближайшем времени, однако уже сейчас активно проводятся исследования их свойств, а также испытания.