Ученые из японского Института современной прикладной науки и технологий (AIST) и из Университета Токио разработали флэш-память, способную хранить информацию в течение нескольких веков.

Флешки- долгожители разработаны с использованием сегнетоэлектрика - вещества, свойства которого изменяются под воздействием внешнего электрического поля. Информация в такую ячейку может быть записана 100 млн. раз (современная флэш-память - около 10 тыс. циклов перезаписи). Специальная технология ("wear-levelling") , распределяющая циклы перезаписи по всем ячейкам микросхемы равномерно, препятствует в новых флешках изнашиванию ячеек в различной степени. Если какая-то ячейка вышла из строя раньше других, она отключается без отключения чипа целиком. Кроме того, "вечные" флешки потребляют меньшее количество электроэнергии по сравнению с современной памятью, так как работают на более низком напряжении.

Коммерциализация технологии планируется в течение нескольких лет.